트랜지스터의 이미터·베이스·컬렉터 전극구조가 평면상으로 된 것. 주로 고주파용으로 만들어진 것으로, 고주파특성·잡음특성 등이 우수하고 안정도가 높다.

이 트랜지스터의 구조는 컬렉터 평면 위에 이미터·베이스를 배열하고 있어서 이 전극들의 접합부가 외부에 표시되어 있지 않고 전표면이 산화물질(SiO2)의 막으로 덮여 있어서 안정도·신뢰성이 매우 높다. 또한 에피택시얼(氣體相成長) 방법으로 평면 트랜지스터를 만들면 전류특성(電流特性)이 개선되어 보통의 평면 트랜지스터보다 3~5배의 전류용량(電流容量)을 가진다.

UHF(극초단파)용의 목적으로 전극의 치수를 작게 해야 하고, 또한 많은 전류를 보내야 할 때는 에피택시얼 방법이 많이 사용된다.