삼성전자는 플래시볼트를 1개의 버퍼 칩 위에 16Gb D램 칩 8개를 쌓아올려 만들었다고 설명했다. 16Gb D램 칩(10나노)에 5600개 이상 미세 구멍을 뚫고, 4만개 이상 실리콘관통전극(TSV) 접합볼로 8개 칩을 수직 연결한 초고집적 기술을 적용했다. 신제품은 기존 제품보다 용량은 2배, 속도는 1.3배 각각 향상됐다.
삼성전자는 HBM2E D램으로 차세대 프리미엄 메모리 시장을 선점한다는 계획이다. AI용 시스템, 차세대 슈퍼컴퓨터, 고성능 그래픽처리장치(GPU) 시스템 등을 주 대상으로 하여 HBM2E D램 공급을 본격화할 방침이다. 삼성전자는 현재 고객사 주문을 확보, 양산 준비를 마친 것으로 알려졌다. 구체적인 양산 시점과 공급 규모는 공개되지 않았다.
최철 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅 부사장은 “역대 최고 성능의 차세대 D램 출시로 빠르게 성장하고 있는 프리미엄 시장에서 사업 경쟁력을 유지할 계획”이라고 말했다.
HBM2E D램은 SK하이닉스도 개발을 마친 상태여서 올해 시장 경쟁이 본격화될 것으로 전망된다. SK하이닉스는 지난해 HBM2E D램 개발을 알리면서 올해 양산할 계획이라고 밝힌 바 있다.
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